瑶芯微电子发布全球首款碳化硅超级结MOSFET
导读 9月7日，“破界·启新——碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超级结MOSFET成果发布会”在上海举行。
9月7日，“破界·启新——碳化硅前沿技术分享暨碳化硅超级结MOSFET成果发布会”在上海举行。
现场，瑶芯微电子正式发布全球首款碳化硅超级结MOSFET产品。在回顾攻关历程时，他指出，碳化硅超级结器件研发面临三大全球性难题。瑶芯微电子联合创始人、CTO陈开宇进行产品介绍陈开宇在发布会现场指出，在应用端，碳化硅超级结技术带来的不只是器件性能的提升，更是系统级的变革。从跟随到原创，中国碳化硅开启新篇章“瑶芯微电子推出的1200V碳化硅超级结MOSFET，属于全球范围内率先完成产品化验证的碳化硅超级结器件。”此次国产碳化硅超级结MOSFET的产品化落地，意味着在下一代技术起跑线上，中国厂商已占得先机。